热处理对注入氢离子的C-SiC涂层表面成分的影响

采用中频磁控溅射结合离子束混合技术在不锈钢基体上制备C-SiC涂层。对制备的涂层进行能量5 keV、剂量1×1018 ions/cm2的氢离子注入,模拟涂层阻止氢渗透。之后，分别将样品从273 K加入到1173 K。采用SEM、XPS和 SIMS分析表面形貌、表面成分及各元素的深度分布。结果表明，不同温度的加热处理使涂层的成分发生变化，在723 K以下温度处理时，C-50%SiC涂层仍能保持非常好的氢阻止性能，在1023 K以上温度处理时，涂层不再具有阻氢性能。...

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Published in:中国有色金属学报：英文版 2013 (11), p.3300-3305
Main Author: 杜纪富 胡永红 董珍 张光学 李月生 赵龙
Format: Article
Language:English
Subjects:
C—SiC涂层
氢离子注入
热处理
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Summary:采用中频磁控溅射结合离子束混合技术在不锈钢基体上制备C-SiC涂层。对制备的涂层进行能量5 keV、剂量1×1018 ions/cm2的氢离子注入,模拟涂层阻止氢渗透。之后，分别将样品从273 K加入到1173 K。采用SEM、XPS和 SIMS分析表面形貌、表面成分及各元素的深度分布。结果表明，不同温度的加热处理使涂层的成分发生变化，在723 K以下温度处理时，C-50%SiC涂层仍能保持非常好的氢阻止性能，在1023 K以上温度处理时，涂层不再具有阻氢性能。
ISSN:1003-6326