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Etudes microlithographiques de résines négatives renfermant des unités tétrathiafulvalènes sensibles aux UV

Pour résoudre le phéomène de gonflement qui limite la résolution des résines microlithographiques classiques, nous nous sommes intéressés à de nouvelles résines avec lesquelles ce phénomène n'apparait pas. Nous avons retenu pour notre étude les résines R qui renferment en mélange un polymère po...

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Published in:Die Angewandte makromolekulare Chemie 1992-08, Vol.199 (1), p.15-31
Main Authors: Giral, Louis, Montginoul, Claude, Mungroo, Aumduth, Sagnes, René, Schué, François, Guibert, Jean-Charles
Format: Article
Language:English
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Description
Summary:Pour résoudre le phéomène de gonflement qui limite la résolution des résines microlithographiques classiques, nous nous sommes intéressés à de nouvelles résines avec lesquelles ce phénomène n'apparait pas. Nous avons retenu pour notre étude les résines R qui renferment en mélange un polymère porteur de radicaux tétrathiafulvalénylcarbonyloxyméthyles et le dibromotétrachloroéthane. Afin de voir l'influence de la nature du radical porteur de l'unité tétrathiafulvalène dans le polymtrè sur les propriétés microlithographiques des résines R, nous nous sommes également intéressés aux polymères renfermant des radicaux tétrathiafulvalénylphénoxymethyles. Les résines R ont été testées sous irradiation UV. Leurs sensibilités dépendent en outre de la valeur de la masse molaire du polymèr. In order to solve the problem of polymer swelling which limits the resolution of negative resists, we have developed new resists where the swelling does not appear. For our study, we developed resists including polymers containing the tetrathiafulvalenylcarbonyloxymethyl radical and dibromotetrachloroethane. In order to study the influence of the nature of the radical bearing the tetrathiafulvalene unit in the polymers on the microlithographic properties of these resists, we also studied polymers containing the tetrathiafulvalenylphenoxymethyl radical. The resists have been tested under UV irradiation. The dependence of resist sensitivity on molecular weight is reported.
ISSN:0003-3146
1522-9505
DOI:10.1002/apmc.1992.051990103