Diffusion layer growth in a binary system

An exact solution is presented for the growth of an intermediate phase layer in a three-phase binary system, when diffusion rates in any phase are independent of concentration. Certain limiting forms of this solution are discussed. Its application in the phenomenological description of growth for an...

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Published in:Journal of nuclear materials 1966-01, Vol.20 (3), p.303-306
Main Author: Gibbs, G.B.
Format: Article
Language:English
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Description
Summary:An exact solution is presented for the growth of an intermediate phase layer in a three-phase binary system, when diffusion rates in any phase are independent of concentration. Certain limiting forms of this solution are discussed. Its application in the phenomenological description of growth for an n-phase multi-layer in a binary system is also outlined. Une solution exacte est proposée pour représenter la croissance d'une couche de phase intermédiaire dans un système binaire triphasé, quand les vitesses de diffusion dans chaque phase sont indépendantes de la concentration. Certaines formules limites de cette solution sont discutées. Son application à la description phénoménologique de la croissance pour une multicouche à n phases dans un système binaire est aussi discuté. Es wurde eine exakte Gleichung für das Wachstum von intermetallischen Phasenschichten im Dreiphasenraum eines binären Systems abgeleitet. Die Diffusionsgeschwindigkeit in jeder Phase wurde als konzentrationsunabhängig angesehen. Gewisse Grenzfälle der beschriebenen Lösung werden diskutiert. Die Anwendung der Gleichung zur phänomenologischen Beschreibung des Wachstums einer vielschichtigen n-Phase in einem binären System wird ebenfalls betrachtet.
ISSN:0022-3115
1873-4820
DOI:10.1016/0022-3115(66)90042-0