Reflectivity of heavily doped P and N-type silicon at the 3.4 eV and 4.5 eV peak

• Published in: Solid state communications 1963, Vol.1 (6), p.138-143
• Main Authors: Bramer, B.R., Vertogen, G., Penning, P.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1098; 1879-2766
• DOI: 10.1016/0038-1098(63)90213-8

The absolute reflectivity of a series of p and n-type silicon crystals has been measured in the region from 3.4 eV to 5.3 eV. The energies of two maxima in reflectivity did not shift for impurity concentrations up to 10 20/cm 3. No essential difference has been found between n and p-type samples. The 3.4 eV peak is showing a growing asymmetry at higher concentrations. The maximum in reflectivity in the 4.5 eV peak occurs at 4.54 ± 0.02 eV. Le pouvoir réflecteur absolu d'une série de monochristaux de silicium du type p et n a été mesuré. Les maxima dans les bandes à 3.4 eV et à 4.5 eV ne se déplacent pas dans une série de concentrations de 10 14 à 10 20/cm 3. On n'a pas constanté de differences entre les échantillons du type p et n. La bande a 3.4 eV montre une asymmétrie, qui augments avec la concentration. L'énergie du maximum de la bande à 4.5 eV a étée à 4.54 ± 0.20 eV.