Variation des vitesses de propagation des ultrasons dans le silicium monocristallin entre 25° et 830°C

Nous avons mesuré les vitesses de propagation des ultrasons à 30 MHz d'une onde longitudinale et de deux transversales de 25° à 830°C dans du silicium monocristallin type p de 0,22Ω-cm de résistivité. Nous en déduisons les variations des constantes élastiques C 11, C 44 et de la différence 1 2...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Solid state communications 1968-06, Vol.6 (6), p.387-390
Main Authors: Ezz-El-Arab, M, Galperin, B, Brielles, J, Vodar, B
Format: Article
Language:fre
Citations: Items that this one cites
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Nous avons mesuré les vitesses de propagation des ultrasons à 30 MHz d'une onde longitudinale et de deux transversales de 25° à 830°C dans du silicium monocristallin type p de 0,22Ω-cm de résistivité. Nous en déduisons les variations des constantes élastiques C 11, C 44 et de la différence 1 2 (C 11C 12) dans ce domaine de température. Ultrasonic velocities at 30 MHz of one longitudinal and two transverse waves were measured between 25° and 830°C in type p silicon single crystals having a resistivity of 0,22Ω-cm. The elastic constants C 44, C 11 and the difference 1 2 (C 11C 12) were calculated from the experimental values of the volocities.
ISSN:0038-1098
1879-2766
DOI:10.1016/0038-1098(68)90163-4