Nouvelle variation geante de la magnetoresistance

En utilisant un champ magnétique pulsé de 400 kgauss nous avons mis en évidence, à très basse température, une oscillation géante de la magnétorésistance longitudinale et transverse du GaAs épitaxial de type n, dégénéré. Cette oscillation peut être attribuée au changement d'état statistique du...

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Published in:Solid state communications 1969-07, Vol.7 (14), p.989-992
Main Authors: Askenazy, S., Ulmet, J.-P., Léotin, J.
Format: Article
Language:fre
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Description
Summary:En utilisant un champ magnétique pulsé de 400 kgauss nous avons mis en évidence, à très basse température, une oscillation géante de la magnétorésistance longitudinale et transverse du GaAs épitaxial de type n, dégénéré. Cette oscillation peut être attribuée au changement d'état statistique du conducteur par un champ magnétique très intense. The effect of a magnetic field, up to 400 kG, on degenerate n type GaAs, shows at very low temperature a giant peak of the transverse and longitudinal magnetoresistance. This effect may be due to a transition from degenerate to non degenerate electronic distribution.
ISSN:0038-1098
1879-2766
DOI:10.1016/0038-1098(69)90069-6