Two-hole transition in the luminescence of excitons bound to neutral acceptors in GaAs

• Published in: Solid state communications 1971-04, Vol.9 (7), p.421-424
• Main Authors: Schairer, W., Yep, T.O.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1098; 1879-2766
• DOI: 10.1016/0038-1098(71)90535-7

A sharp emission line at 1.5124eV is observed at temperatures below 4.2K in high purity GaAs. The emission line shows doublet structure and exhibits three satellites of lower energy. The described complex of four lines is explained by the recombination of an exciton bound to a neutral acceptor. Two of the satellites are caused by ‘two-hole transitions’ in which the neutral acceptor is left in an excited state after the decay of the bound exciton. The energies of the two lowest excited states of the acceptor are obtained. The third satellite is due to LO-phonon emmission. Eine scharfe Emissionslinie bei 1,5124eV wird bei Temperaturen unterhalb von 4,2 K in hochreinem GaAs beobachtet. Die Emissionslinie ist ein Dublett und weist drei Satelliten auf der Seite kleinerer Energie auf. Der beschriebene Komplex aus vier Linien wird durch die Rekombination eines neutralen Akzeptor gebundenen Exzitons erklärt. Zwei der Satelliten werden durch ‘2-Löcher Übergänge’ verursacht, bei denen der neutrale Akzeptor nach dem Zerfall des Exzitons in einem angeregten Zustand verbleibt. Wir erhalten die Energien der zwei niedrigsten angeregten Zustände des Akzeptors. Der dritte Satellit tritt infolge der Emission eines LO-Phonons auf.