Depth penetration of the transverse surface wave in photoconducting CdS

• Published in: Solid state communications 1972-01, Vol.11 (8), p.1085-1088
• Main Authors: Rouzeyre, M., Cambon, G.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1098; 1879-2766
• DOI: 10.1016/0038-1098(72)90326-2

We give an expression for the penetration depth of the Bleustein- Gulyaev surface wave in the case of a 6 mm piezodielectric crystal coated with a semiconducting stress free layer. The result shows that this transverse surface wave is strongly localised in a photo- conducting material when the incident photon energy is equal or greater than the energy gap. This conclusion agrees with the reported data on active devices and must be taken into account when one considers the ability of this surface wave to carry acoustic power and to give rise to non linear effects. On donne, dans l'approximationélectrostatique, la profondeur de pénétration de l'onde de Bleustein-Gulyaev dans le cas d'un cristal piezoélectrique de la classe 6 mm recouvert par une couche semi- conductrice. Ce calcul montre que cette onde de surface est fortement localisée dans un matériau photoélectrique quand l'énergie excitatrice est supérieure ouégale au gap. Cette conclusion est en accord avec les résultats expérimentaux publiés et doiteˆtre prise en considération quand on examine les possibilitiés de transport d'énergie et les effets non linéaires engendrés par ce type d'onde.