Properties photoelectriques de l'arsenic cristallise entre 7 et 11,4 eV

L'étude de l'émission photoélectrique de l'arsenic cristallisé a été faite entre 7 et 11,4 eV par la méthode du potentiel retardateur. Les structures des courbes de distribution énergétique des électrons sont reliées à la structure de bandes calculée. La mesure du rendement quantique,...

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Published in:Solid state communications 1975-04, Vol.16 (7), p.941-944
Main Authors: Raisin, C., Pinchaux, R.
Format: Article
Language:fre
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Description
Summary:L'étude de l'émission photoélectrique de l'arsenic cristallisé a été faite entre 7 et 11,4 eV par la méthode du potentiel retardateur. Les structures des courbes de distribution énergétique des électrons sont reliées à la structure de bandes calculée. La mesure du rendement quantique, près du seuil d'émission, permet de déterminer la valeur du travail de sortie. Photoemission of crystalline arsenic was studied by the retarding potential method between 7 and 11.4 eV. The energy distribution curve structures are related to the calculated energy band structure. The extrapolation of the quantum yield curve, near the emission threshold, gives the work function of crystalline arsenic.
ISSN:0038-1098
1879-2766
DOI:10.1016/0038-1098(75)90899-6