Design theory of a surface field-effect transistor

• Published in: Solid-state electronics 1964-01, Vol.7 (6), p.423-430
• Main Authors: Ihantola, H.K.J., Moll, J.L.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1101; 1879-2405
• DOI: 10.1016/0038-1101(64)90039-5

The design theory of insulated gate, surface field-effect transistors is presented. It is shown that for similar dimensions the surface field-effect transistor has frequency response comparable to other field-effect transistors. It is found to be quite simple to trade capacitance and transconductance in the surface field-effect transistor. The static imput resistance of the surface field-effect transistor is just the leakage of the insulator, so that this device may be used in electrometers and similar equipment. In addition, the construction on the surface of a semiconductor crystal offers interesting possibilities as an element of an integrated circuit. On présente la théorie de la construction des transistors à déclencheur isolé et à effet de champ de surface. On démontre que pour des dimensions similaires, le transistor à effet de champ de surface a une réponse de fréquence comparable aux autres transistors ayant des effets de champ. On découvre qu'il est très simple d'échanger la capacité et la transconductance dans ce transistor. La résistance statique d'éntrée du transistor à effet de champ de surface n'est que la fuite de l'isolant telle que le dispositif pourrait être employé dans les électromètres et autres équipements similaires. Aussi la construction sur la surface d'un cristal semiconducteur offre d'intéressantes possibilités en tant qu'élément d'un circuit intégré. Der theoretische Aufbau eines Transistors mit Oberflächenfeldeffekt und isoliertem Tor wird beschrieben. Bei ähnlichen Dimensionen zeigt dieses Gerät eine Frequenzempfindlichkeit, die der von anderen Feldeffekt-Transistoren entspricht. Die Kapazität und Steilheit dieses Transistors sind leicht auszunutzen. Der statische Eingangswiderstand des Oberflächenfeld-Transistors entspricht dem Abfluss vom Isolator; man kann das Gerät deshalb in Elektrometern und ähnlichen Instrumenten verwenden. Die Herstellung auf der Oberfläche eines Halbleiterkristalls eröffnet interessante Möglichkeiten der Verwendung als Bauelement in der Miniaturtechnik.