The hook-emitter transistor: A proposed amplifier with high gain-bandwidth product

• Published in: Solid-state electronics 1970-01, Vol.13 (7), p.1025-1031
• Main Author: Kasperkovitz, D.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1101; 1879-2405
• DOI: 10.1016/0038-1101(70)90099-7

Starting from the equivalent circuit of a planar transistor it is shown that the gain-bandwidth product of a transistor with ohmic load depends only on parameters of the transistor. To obtain the maximum gain-bandwidth product, compromises in dimensioning must be made, which prevent the full exploitation of the technological possibilities. Therefore in this article a four-layer triode is proposed in which fewer compromises are required. Theoretically this structure seems better suited to exploit the technological possibilities, resulting in greater gain-bandwidth products. Partant d'un schéma équivalent, ou montre que le produit du facteur d'amplification et de la largeur de band d'un transistor planaire chargé par une résistance ne dépend que des paramètres du transistor. Pour réaliser une valeur maximum de ce produit, on est conduit à des compromis qui empechant de tirer plein parti des possibilités technologiques. Cet article propose des lors une triode a quatre couches qui demande moins de compromis et qui permet douc théoriquement de mieux utiliser les possibilités technologiques et d'obtenir une valeur plus éléve de produit en question. Ausgehend vom Ersatzschaltbild eines planaren Transistors wird gezeigt, dass das Produkt von Verstärkung und Bandbreite eines Transistors mit ohmscher Belastung nur von den Transistorparametern abhängig ist. Zur Erreichung des maximalen Produkts von Verstärkung und Bandbreite sind Kompromisse in der Dimensionierung nötig, die es verhindern, die technologischen Möglichkeiten voll auszunützen. Darum wird in diesem Artikel eine Vierlagentriode vorgeschlagen, bei der weniger Kompromisse nötig sind und die daher theoretisch besser geeignet scheint, die technologischen Möglichkeiten auszunützen um dadurch ein grösseres Produkt von Verstärkung und Bandbreite zu erreichen.