Induced gate noise in MOS FET's

• Published in: Solid-state electronics 1971-01, Vol.14 (10), p.945-948
• Main Authors: Kirk, E.W., Van der Ziel, A., Chenette, E.R., Kim, C.S.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1101; 1879-2405
• DOI: 10.1016/0038-1101(71)90163-8

Input admittance, drain noise and induced gate noise measurements are reported on several MOS FET's of large geometry. A few units show excess gate noise as found earlier by Halladay and van der Ziel. Other units show the gate noise expected from the thermal noise of the channel. No evidence was found of induced flicker gate noise even in noisy units that showed flicker drain noise up to 30 MHz. Rao and van der Ziel have shown theoretically that Christensson, et al's flicker noise models should give clearly observable flicker gate noise if a noticeable amount of flicker drain noise is present. Since none was observed, this indicates that these models may not be correct. Experiments seem to indicate that the h.f. input conductance g 11 varies as ƒ 3 2 in MOS-units with gate overlap whereas g 11 varies as ƒ 2 in MOS-units with no gate overlap. There is at present no satisfactory explanation for this difference; an ƒ 2 frequency dependence is expected theoretically. Les mesures d'admittance d'énergie d'entrée, de bruit d'intensité et de bruit de déclencheur périodique sont reportées sur divers MOS FET de grande géométrie. Certaines unités font apparaître un dépassement de bruit de déclencheur périodique provenant normalement du bruit d'origine thermique dans le canal. On n'a pas trouvé d'évidence de bruit de déclencheur périodique à scintillement même dans les unités bruyantes donna donnant des bruits intermittents d'intensité pouvant atteindre 30 MHz. Rao et van der Ziel ont théoriquement démontré que les modèles de bruits intermittents de Christensson et autres devaient produire un bruit nettement observable de déclencheur périodique intermittent lorsqu'une quantité notable de bruit d'intensité intermittent est présente. Etant donné qu'on n'en a observé aucun, ceci indique que ces modèles ne seraient pas exacts. Les expériences semblent indiquer que la pente hf g 11 varie comme ƒ 3 2 dans les unités MOS à chevauchement de déclencheur périodique tandis que g 11 varie comme ƒ 2 dans les unités sans chevauchement de déclencheur périodique. Il n'existe pas, pour le moment, d'explication satisfaisante pour cette différence. On s'attend théoriquement à une dépendance de fréquence ƒ 2. Eingangsadmittanz, Drainrauschen und das induzierte Gaterauschen wurden an verschiedenen MOS-FET's mit groβen geometrischen Abemssungen ermittelt. Einige wenige Exemplare zeigten ein Überschuβrauschen, wie es früher von Halladay und van der Ziel gefunden worden war. Andere FET's zei