Contraintes induites dans un support de molybdénite par un dépôt épitaxique de magnésium

• Published in: Thin solid films 1973-11, Vol.18 (2), p.213-219
• Main Authors: Heyraud, J.C., Maurissen-Ruglioni, Y., Perrin, J., Capella, L.
• Format: Article
• Language: fre
• ISSN: 0040-6090; 1879-2731
• DOI: 10.1016/0040-6090(73)90099-0

On observe souvent des dislocations interfaciales destinées à rattraper la discordance paramétrique entre films épitaxiques. L'introduction de ces dislocations à l'interface suppose l'existence dans le bicristal d'un système de glissement convenable. Dans cet article nous présentons létude d'un bicristal dans lequel un tel système est absent. Nous avons préparé par évaporation sous vide élevé des films orientés de Mg sur MoS 2. Dans un tel bicristal aucun systéme de glissement ne permet d'introduireire des dislocations interfaciales. Les tensions induites lors de la croissance du dépôt ont pour conséquence l'apparition dans le support de dislocations curvilignes. Misfit dislocations are often observed between epitaxial layers. The introduction of these dislocations at the interface depends upon the presence of suitable slip planes between the crystals. The aim of this paper is to describe a crystal system in which such slip planes do not occur. Epitaxial Mg films were grown by evaporation onto hot MoS 2 thin platelets in high vacuum. In such a combination there are no slip planes to allow the introduction of interfacial misfit dislocations. Another type of dislocation with curved lines appears in the substrate as a consequence of the stresses induced by the overgrowth.