Propriétés électroniques des surfaces de GaSb clivées en ultra-vide

On donne les résultats d'une étude sur la topographie du travail de sortie de surfaces de GaSb clivées sous ultra-vide. Après avoir montré que les zones les mieux clivées avaient des bandes plates on précise l'action sur les topographies de la pollution et de l'adsorption d'oxygè...

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Published in:Thin solid films 1981-04, Vol.78 (2), p.167-176
Main Authors: Soonckindt, L., Bonnet, J., Lassabatère, L.
Format: Article
Language:fre
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Description
Summary:On donne les résultats d'une étude sur la topographie du travail de sortie de surfaces de GaSb clivées sous ultra-vide. Après avoir montré que les zones les mieux clivées avaient des bandes plates on précise l'action sur les topographies de la pollution et de l'adsorption d'oxygène. La position et la densité des états extrinsèques de surface sont déterminées par une étude en température. Topographic studies on GaSb surfaces cleaved under ultrahigh vacuum were carried out and the effects of pollution and oxygen adsorption are described. It was shown that there is no band bending on well-cleaved surfaces and that the position and the density of extrinsic surface states were determined by variation of the temperature.
ISSN:0040-6090
1879-2731
DOI:10.1016/0040-6090(81)90616-7