Early fault detection in SiC-MOSFET with application in boost converter

Este artículo presenta el diseño de un circuito de detección de fallas aplicado a Mosfet de carburo de silicio; la detección de falla es realizada a través del monitoreo de comportamiento de la señal de compuerta. Las más importantes características que se analizaron y se reportan son: rápida detecc...

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Published in:Revista Facultad de Ingeniería 2018-01 (87), p.8-15
Main Authors: Leobardo Hernández-González, Climaco Arvizu-Ogilvie, Alejandro Tapia-Hernández, Mario Ponce-Silva, Abraham Claudio-Sánchez, Marco Rodríguez-Blanco, Jesús Aguayo-Alquicira
Format: Article
Language:English
Subjects:
carburo de silicio
detección de fallas
semiconductor
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Summary:Este artículo presenta el diseño de un circuito de detección de fallas aplicado a Mosfet de carburo de silicio; la detección de falla es realizada a través del monitoreo de comportamiento de la señal de compuerta. Las más importantes características que se analizaron y se reportan son: rápida detección debido a que la evaluación se realiza en la conmutación a encendido, permitiendo la detección de fallas en corto circuito y circuito abierto; tiempos rápidos de detección lo que previene difusión de la falla al sistema completo. Para validar el circuito de detección fue diseñado un convertidor boost con SiC-Mosfet. Los resultados obtenidos validan la confiabilidad de la propuesta presentada.
ISSN:0120-6230
2422-2844
DOI:10.17533/udea.redin.n87a02