Cu Thin Films Deposited by DC Magnetron Sputtering for Contact Surfaces on Electronic Components

The results of the DC magnetron sputtering of copper thin films with different parameters of deposition are presented. The main aim of studies was to determine the influence of current value, time of deposition and target-substrate distance on morphology and grain size of obtained copper thin films....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Archives of metallurgy and materials 2011-01, Vol.56 (4), p.903-908
Main Authors: Mech, K., Kowalik, R., Żabiński, P.
Format: Article
Language:English
Subjects:
Contact
Copper
Cu films
DC magnetron sputtering
DEPOSITION
Direct current
ELECTRICAL CONDUCTIVITY
Electronic components
electronic contact
Magnetron sputtering
MORPHOLOGY
SPUTTERING
THIN FILMS
Citations: Items that this one cites
Items that cite this one
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:The results of the DC magnetron sputtering of copper thin films with different parameters of deposition are presented. The main aim of studies was to determine the influence of current value, time of deposition and target-substrate distance on morphology and grain size of obtained copper thin films. The effects of film's thickness on the resistivity of copper thin films were investigated. The influence of parameters on the rate of deposition was also determined. The possibility of application of resulting films for contact surface in electronic components was discussed. The morphology was characterized by AFM method, the size of Cu deposited grains was calculated using Scherrer's method. The WDXRF method was used for estimate of thickness of sputtered films. The resistivity of obtained films was measured using four probe method. W pracy przedstawiono wyniki badań nad wpływem parametrów napylania magnetronowego cienkich warstw Cu na ich własności. Głównym celem przeprowadzonych badań było określenie wpływu natężenia prądu, czasu osadzania, odległości pomiędzy targetem a napylaną powierzchnią na wielkość ziarna oraz morfologię cienkich warstw. Przeprowadzono również badania nad wpływem grubości warstwy na jej opór właściwy. Omówiona została możliwość stosowania warstw nanoszonych tą metodą w przemyśle elektronicznym. Morfologię otrzymanych warstw charakteryzowano przy użyciu mikroskopu AFM. Wielkość ziarna oszacowana została na podstawie wzoru Scherrera. Grubość warstw wyznaczono techniką WDXRF. Do pomiarów oporu właściwego wykorzystano metodę pomiaru czteropunktowego.
ISSN:1733-3490
2300-1909
DOI:10.2478/v10172-011-0099-4