Temperature dependence of the radius of electron-hole drops in Ge

• Published in: Solid state communications 1977-01, Vol.23 (5), p.271-273
• Main Authors: Grossman, B., Shaklee, K.L., Voos, M.
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0038-1098; 1879-2766
• DOI: 10.1016/0038-1098(77)91327-8

The temperature dependence of the radius of electron-hole drops in Ge is determined from measurements of the number of particles in the drops using the p-n junction technique. The drop radius is found to increase from 5.5μ at 1.7 K to 10μ at 3.2 K for an excitation intensity of 160 mWatt/mm 2. As a function of excitation level at 1.8 K the drop radius is found to increase from 2.9μ at 8 mWatt/mm 2 to 6.5μ at 300 mWatt/mm 2. Our data are compared to results available in this field. Die Temperaturabhäengigkeit des Radius von Elektron-Loch Troepfchen in Ge wird durch Messungen der Teilchenzahl in den Troepfchen bestimmt, indem eine p-n Uebergangstechnik angewendet wird. Fuer den Troepfchenradius wurde eine Zunahme von 5,5 μm bei 1.7 K auf 10μm bei 3.2 K bei einer Anregungsintensität von 160mW/mm 2 gefunden. Weiterhin ergibt sich als Funktion des Anregungsniveaus eine Zunahme des Troepfchenradius von 2.9μm bei 8 mW/mm 2 auf 6.5μm bei 300 mW/mm 2. Diese Werte werden mit in der Literatur aufgefuehrten Ergebnissen verglichen.