Defect interactions in deformed WC

• Published in: Acta metallurgica 1984-06, Vol.32 (6), p.941-947
• Main Authors: Hibbs, M.K., Sinclair, R., Rowcliffe, D.J.
• Format: Article
• Language: English
• Subjects: Applied sciences; Condensed matter: structure, mechanical and thermal properties; Cross-disciplinary physics: materials science; rheology; Defects and impurities in crystals; microstructure; Exact sciences and technology; Materials science; Metals, semimetals and alloys; Metals. Metallurgy; Physics; Specific materials; Structure of solids and liquids; crystallography
• ISSN: 0001-6160
• DOI: 10.1016/0001-6160(84)90031-2

Reactions between the leading partial dislocations of extended defects lying on intersecting slip planes are observed by transmission electron microscopy (TEM) in samples indented at room temperature and 1000°C. The resultant dislocation is shared by the original defects. Annealing experiments performed at 1000°C for 5 hours indicate that the new configurations are stable and sessile and therefore can limit plastic flow. These reactions may also lead to crack nucleation via a mechanism similar to that proposed by Cottrell for b.c.c. metals. This mechanism may explain the observation of cracks on {11 2 ̄ 0} and {1 1 ̄ 00} planes generated at slip band intersections. Nous avons observé par microscopie électronique en transmission (MET) les réactions entre les dislocations partielles situées en tête de défauts étendus à l'intersection de plans de glissement, dans des échantillons indentés à la température ambiante et à 1000°C. La dislocation résultante est partagée par les défauts initiaux. Des expériences de recuit de 5 heures à 1000°C montrent que les nouvelles configurations sont stables et sessiles et qu'elles peuvent donc limiter l'écoulement plastique. Ces réactions peuvent également conduire à une germination de fissures par un mécanisme semblable à cellui que Cottrell a proposé pour les métaux c.c. Ce mécanisme pourrait expliquer l'observation de fissures sur les plans {11 2 ̄ 0} et {1 1 ̄ 00} à l'intersection de bandes de glissement. In WC-Proben, die bei Raumtemperatur und bei 1000°C durch Stempeleindruck verformt worden waren, wurden die Reaktionen zwischen den führenden Teilversetzungen von ausgedehnten Kristallbaufehlern, die auf sich schneidenden Ebenen liegen, elektronenmikroskopisch analysiert. Die entstandene Reaktionsversetzung gehört beiden Kristallbaufehlern an. Ausheilen bei 1000°C für fünf Stunden deutet darauf hin, daβ diese Reaktionsversetzungen stabil sind und wegen ihres seβhaften Charakters das plastische Flieβens erschweren können. Diese Reaktionsversetzungen können auch zur Riτbgbildung über einen Mechanismus, der dem von Cottrell für krz. Metalle vorgeschlagenen ähnelt. führen. Dieser Mechanismus kann die Beobachtung erklären, daβ Risse auf {11 2 ̄ 0}-und {1 1 ̄ 00}-Ebenen an Gleitbandkreuzungen gebildet werden.