Simulación Estática y Dinámica de un Modelo Físico del Diodo PiN en Carburo de Silicio

Este artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciale...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Información tecnológica 2010, Vol.21 (5), p.45-50
Main Authors: Hernández, Leobardo, Arzate, Guillermo, Brito, Zabdiel, Rodríguez, Marco
Format: Article
Language:Portuguese
Subjects:
ENGINEERING, MULTIDISCIPLINARY
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Este artículo presenta una propuesta de modelado y simulación del diodo PiN en Carburo de Silicio. La propuesta principal de modelado soluciona la ecuación de difusión ambipolar a partir de una aproximación empírica. Mediante la metodología utilizada se obtiene un conjunto de ecuaciones diferenciales que modelan los principales fenómenos físicos asociados al dispositivo semiconductor de potencia. Las ecuaciones implementadas en Pspice modelan en una forma más real el comportamiento de la dinámica de cargas en la región N- de un diodo PiN en Carburo de Silicio para las fases estáticas y dinámicas. Para la comprobación y validación del modelo desarrollado, se compararon los resultados de simulación con datos experimentales reportados en la literatura, obteniéndose resultados adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia.
ISSN:0718-0764
0718-0764
DOI:10.4067/S0718-07642010000500007