Loading…

Resistência física de bainhas de plantas de arroz supridas com silício e infectadas por Rhizoctonia solani

Este trabalho objetivou associar a deposição de silício (Si) nas bainhas de plantas de arroz ao aumento da resistência física à infecção por Rhizoctonia solani. Plantas das cultivares suscetíveis BR-Irga 409 e Labelle foram cultivadas em solução nutritiva contendo (+Si) ou não (-Si) Si. A concentraç...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Tropical plant pathology 2012-08, Vol.37 (4), p.281-285
Main Authors: Schurt, Daniel Augusto, Rodrigues, Fabrício Ávila, Reis, Ricardo Dutra, Moreira, Wiler Ribas, Souza, Naiara Fernandes Abreu, Silva, Washington Azevedo
Format: Article
Language:Portuguese
Subjects:
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Este trabalho objetivou associar a deposição de silício (Si) nas bainhas de plantas de arroz ao aumento da resistência física à infecção por Rhizoctonia solani. Plantas das cultivares suscetíveis BR-Irga 409 e Labelle foram cultivadas em solução nutritiva contendo (+Si) ou não (-Si) Si. A concentração de Si nas bainhas das plantas supridas com Si e inoculadas com R. solani aumentou significativamente em relação às plantas não supridas com Si reduzindo o comprimento relativo da lesão às 96 horas após inoculação (hai). Houve diferença significativa entre os tratamentos -Si e +Si quanto à força necessária para uma agulha metálica atravessar as bainhas às 48 e 72 hai. A maior resistência física às 24 hai deve-se ao fato de que R. solani estava crescendo sobre o tecido sem destruí-lo, o que pôde ser comprovado pela ausência de sintomas. Após esse período, a resistência diminuiu devido ao rápido crescimento de R. solani. Entretanto, nas bainhas de plantas supridas com Si, a força necessária para a agulha penetrar foi maior às 48 e 72 hai. A resistência das bainhas de plantas supridas com Si à infecção por R. solani pode ser explicada, em parte, pela maior resistência física decorrente da deposição desse elemento.
ISSN:1983-2052
DOI:10.1590/S1982-56762012000400008