新型超支化聚合物修饰碳糊电极的制备及应用

制备了超支化聚（胺．酯）化学修饰碳糊电极，研究了Cu^2＋在修饰电极上的电化学行为。在0．25mol／LKCI溶液（pH4．0）中，Cu^2＋与超支化聚（胺一酯）形成电化学包络物，分别于0．27和0．06V处产生一对灵敏的氧化还原峰，具有明显的催化还原增敏作用。研究了超支化聚合物结构和代数对电极性能的影响。实验表明：5代超支化聚合物修饰电极性能最好。建立了线性扫描伏安法测定痕量铜的方法，线性范围1．0×10-^-8-3．0x10-mol／L；检出限为4．0×10^-9mol／L。用于人发样品的测定，获得满意结果。...

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Published in:Fēnxī huàxué 2009, Vol.37 (1), p.111-114
Main Author: 周长利 郑玉欣 陈洪伟 寿崇琦 董艳敏 刘震 陈立仁
Format: Article
Language:Chinese
Subjects:
化学修饰电极
超支化聚合物
铜
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Description
Summary:制备了超支化聚（胺．酯）化学修饰碳糊电极，研究了Cu^2＋在修饰电极上的电化学行为。在0．25mol／LKCI溶液（pH4．0）中，Cu^2＋与超支化聚（胺一酯）形成电化学包络物，分别于0．27和0．06V处产生一对灵敏的氧化还原峰，具有明显的催化还原增敏作用。研究了超支化聚合物结构和代数对电极性能的影响。实验表明：5代超支化聚合物修饰电极性能最好。建立了线性扫描伏安法测定痕量铜的方法，线性范围1．0×10-^-8-3．0x10-mol／L；检出限为4．0×10^-9mol／L。用于人发样品的测定，获得满意结果。
ISSN:0253-3820
DOI:10.3321/j.issn:0253-3820.2009.01.023