水杨酸分子印迹膜电化学传感器的制备

以水杨酸为模板分子，采用循环伏安法电聚合形成聚吡咯膜，以固定电位过氧化法去除印迹分子，制备了水杨酸分子印迹膜电极。本印迹电极能促进水杨酸电氧化过程，有效地避免结构类似物（如苯甲酸）对其测定的干扰。循环伏安法用于电化学检测，当富集时间为10min，磷酸盐缓冲溶液的pH=6．86时，在1．0×10^-6～2．0×10^-3mol／L浓度范围内，水杨酸氧化峰电流与其浓度呈良好的线性关系，检出限为0．8μmol／L，用分子印迹膜电极对加标样品进行分析，回收率为94．6％～103．4％。...

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Published in:Fēnxī huàxué 2009, Vol.37 (7), p.1045-1048
Main Author: 谢成根 李淮芬 谢春艳 周汉坤
Format: Article
Language:Chinese
Subjects:
传感器
修饰电极
分子印迹
水杨酸
电聚合吡咯
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Description
Summary:以水杨酸为模板分子，采用循环伏安法电聚合形成聚吡咯膜，以固定电位过氧化法去除印迹分子，制备了水杨酸分子印迹膜电极。本印迹电极能促进水杨酸电氧化过程，有效地避免结构类似物（如苯甲酸）对其测定的干扰。循环伏安法用于电化学检测，当富集时间为10min，磷酸盐缓冲溶液的pH=6．86时，在1．0×10^-6～2．0×10^-3mol／L浓度范围内，水杨酸氧化峰电流与其浓度呈良好的线性关系，检出限为0．8μmol／L，用分子印迹膜电极对加标样品进行分析，回收率为94．6％～103．4％。
ISSN:0253-3820
DOI:10.3321/j.issn:0253-3820.2009.07.022