纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究

为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度，以甲基丙烯酸为功能单体，马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂，热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法( CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明，以铁氰化钾为分子探针的间接检测中，铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10-7~1.5×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984)，检出限(S/N=3)为8.2×10-9 mol/L。将此印迹传...

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Published in:分析化学 2014 (11), p.1661-1666
Main Authors: 余会成, 黄学艺, 韦贻春, 雷福厚, 谭学才, 吴海鹰
Format: Article
Language:Chinese
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Summary:为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度，以甲基丙烯酸为功能单体，马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂，热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法( CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明，以铁氰化钾为分子探针的间接检测中，铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10-7~1.5×10-4 mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984)，检出限(S/N=3)为8.2×10-9 mol/L。将此印迹传感器用于实际应用，回收率在96.5%~103.0%之间。
ISSN:0253-3820
DOI:10.11895/j.issn.0253-3820.140550