R2PdSi3(R=Pr,Tb和Gd)单晶生长沉淀

O782; 利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制各R2PdSi3(R=Pr,Yb和Gd)单晶.从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体内部以及单晶基体4个方面研究单晶制备过程中一个很重要的现象,第二相沉淀.采用退火热处理方法以及给料棒成分微调法可以有效减少凝固后期冷却过程中由于Si溶解度降低析出的条纹状RSi(R=Pr,Tb和Gd)沉淀....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:中国有色金属学报（英文版） 2011, Vol.21 (11), p.2421-2425
Main Authors: 徐义库, 刘林, Wolfgang L(O)SER, 葛丙明
Format: Article
Language:Chinese
Online Access:Get full text
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:O782; 利用具有无坩埚、高稳定性等特性的光辐射悬浮区熔法,制各R2PdSi3(R=Pr,Yb和Gd)单晶.从原材料和试样制备过程、单晶生长过程、熔体内部以及单晶基体4个方面研究单晶制备过程中一个很重要的现象,第二相沉淀.采用退火热处理方法以及给料棒成分微调法可以有效减少凝固后期冷却过程中由于Si溶解度降低析出的条纹状RSi(R=Pr,Tb和Gd)沉淀.
ISSN:1003-6326
DOI:10.1016/S1003-6326(11)61030-3