极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶

以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000 mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜/金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。...

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Published in:中国有色金属学报（英文版） 2013 (11), p.3286-3292
Main Authors: 邢俊恒, 夏正斌, 李辉, 王莹莹, 钟理
Format: Article
Language:Chinese
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container_end_page 3292
container_issue 11
container_start_page 3286
container_title 中国有色金属学报（英文版）
container_volume
creator 邢俊恒
夏正斌
李辉
王莹莹
钟理
description 以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000 mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜/金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。
doi_str_mv 10.1016/S1003-6326(13)62865-4
format article
fullrecord <record><control><sourceid>wanfang_jour</sourceid><recordid>TN_cdi_wanfang_journals_zgysjsxb_e201311018</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><wanfj_id>zgysjsxb_e201311018</wanfj_id><sourcerecordid>zgysjsxb_e201311018</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-wanfang_journals_zgysjsxb_e2013110183</originalsourceid><addsrcrecordid>eNpjYJA1NNAzNDA00w82NDAw1jUzNjLTMDTWNDOyMDPVNWFh4IQLczDwFhdnJhkYGpqYGlgaGnIyuD6b1_hkb9_zKVuf7O19sqP72a7Wpxtanm3qfL58_ctJs18sXPFy7qKXMzYDlT3bsPxpz7QXbXOez2p5PmX-y6n7n-zoe7578rOZ23gYWNMSc4pTeaE0N4O2m2uIs4dueWJeWmJeenxWfmlRHlAmviq9sjiruCIpPtXIwNDYEOhsC2PSVAMAAWVfJQ</addsrcrecordid><sourcetype>Aggregation Database</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>article</recordtype></control><display><type>article</type><title>极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶</title><source>ScienceDirect Freedom Collection</source><creator>邢俊恒 ; 夏正斌 ; 李辉 ; 王莹莹 ; 钟理</creator><creatorcontrib>邢俊恒 ; 夏正斌 ; 李辉 ; 王莹莹 ; 钟理</creatorcontrib><description>以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000 mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜/金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。</description><identifier>ISSN: 1003-6326</identifier><identifier>DOI: 10.1016/S1003-6326(13)62865-4</identifier><language>chi</language><publisher>华南理工大学 化学与化工学院,广州,510640</publisher><ispartof>中国有色金属学报（英文版）, 2013 (11), p.3286-3292</ispartof><rights>Copyright © Wanfang Data Co. Ltd. All Rights Reserved.</rights><lds50>peer_reviewed</lds50><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Uhttp://www.wanfangdata.com.cn/images/PeriodicalImages/zgysjsxb-e/zgysjsxb-e.jpg</thumbnail><link.rule.ids>314,780,784,4024,27923,27924,27925</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>邢俊恒</creatorcontrib><creatorcontrib>夏正斌</creatorcontrib><creatorcontrib>李辉</creatorcontrib><creatorcontrib>王莹莹</creatorcontrib><creatorcontrib>钟理</creatorcontrib><title>极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶</title><title>中国有色金属学报（英文版）</title><description>以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000 mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜/金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。</description><issn>1003-6326</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2013</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNpjYJA1NNAzNDA00w82NDAw1jUzNjLTMDTWNDOyMDPVNWFh4IQLczDwFhdnJhkYGpqYGlgaGnIyuD6b1_hkb9_zKVuf7O19sqP72a7Wpxtanm3qfL58_ctJs18sXPFy7qKXMzYDlT3bsPxpz7QXbXOez2p5PmX-y6n7n-zoe7578rOZ23gYWNMSc4pTeaE0N4O2m2uIs4dueWJeWmJeenxWfmlRHlAmviq9sjiruCIpPtXIwNDYEOhsC2PSVAMAAWVfJQ</recordid><startdate>2013</startdate><enddate>2013</enddate><creator>邢俊恒</creator><creator>夏正斌</creator><creator>李辉</creator><creator>王莹莹</creator><creator>钟理</creator><general>华南理工大学 化学与化工学院,广州,510640</general><scope>2B.</scope><scope>4A8</scope><scope>92I</scope><scope>93N</scope><scope>PSX</scope><scope>TCJ</scope></search><sort><creationdate>2013</creationdate><title>极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶</title><author>邢俊恒 ; 夏正斌 ; 李辉 ; 王莹莹 ; 钟理</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-wanfang_journals_zgysjsxb_e2013110183</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>chi</language><creationdate>2013</creationdate><toplevel>peer_reviewed</toplevel><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>邢俊恒</creatorcontrib><creatorcontrib>夏正斌</creatorcontrib><creatorcontrib>李辉</creatorcontrib><creatorcontrib>王莹莹</creatorcontrib><creatorcontrib>钟理</creatorcontrib><collection>Wanfang Data Journals - Hong Kong</collection><collection>WANFANG Data Centre</collection><collection>Wanfang Data Journals</collection><collection>万方数据期刊 - 香港版</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><collection>China Online Journals (COJ)</collection><jtitle>中国有色金属学报（英文版）</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>邢俊恒</au><au>夏正斌</au><au>李辉</au><au>王莹莹</au><au>钟理</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶</atitle><jtitle>中国有色金属学报（英文版）</jtitle><date>2013</date><risdate>2013</risdate><issue>11</issue><spage>3286</spage><epage>3292</epage><pages>3286-3292</pages><issn>1003-6326</issn><abstract>以磁控溅射法沉积在单晶硅片上的钛薄膜样品为工作电极，以循环伏安法为阳极氧化方式，研究极低电位下钛表面氧化膜的生长与结晶行为。通过AFM、SE和XPS等手段表征钛表面阳极氧化膜的表面形貌、结晶性和化学组成。结果表明，即使在低至1000 mV的电位下，所形成的阳极氧化钛薄膜也是结晶的，而不是无定型的。升高氧化电位或者降低电位扫描速率都有利于钛氧化膜的形成和结晶。认为，在极低的电位下，产生于氧化膜/金属界面的内在压应力是导致钛氧化物结晶形成的主要原因，而不是被研究者们所普遍接受的焦耳热。</abstract><pub>华南理工大学 化学与化工学院,广州,510640</pub><doi>10.1016/S1003-6326(13)62865-4</doi></addata></record>
fulltext fulltext
identifier ISSN: 1003-6326
ispartof 中国有色金属学报（英文版）, 2013 (11), p.3286-3292
issn 1003-6326
language chi
recordid cdi_wanfang_journals_zgysjsxb_e201311018
source ScienceDirect Freedom Collection
title 极低电位下溅射沉积钛表面阳极氧化膜的生长与结晶
url http://sfxeu10.hosted.exlibrisgroup.com/loughborough?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-08T04%3A32%3A10IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-wanfang_jour&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.genre=article&rft.atitle=%E6%9E%81%E4%BD%8E%E7%94%B5%E4%BD%8D%E4%B8%8B%E6%BA%85%E5%B0%84%E6%B2%89%E7%A7%AF%E9%92%9B%E8%A1%A8%E9%9D%A2%E9%98%B3%E6%9E%81%E6%B0%A7%E5%8C%96%E8%86%9C%E7%9A%84%E7%94%9F%E9%95%BF%E4%B8%8E%E7%BB%93%E6%99%B6&rft.jtitle=%E4%B8%AD%E5%9B%BD%E6%9C%89%E8%89%B2%E9%87%91%E5%B1%9E%E5%AD%A6%E6%8A%A5%EF%BC%88%E8%8B%B1%E6%96%87%E7%89%88%EF%BC%89&rft.au=%E9%82%A2%E4%BF%8A%E6%81%92&rft.date=2013&rft.issue=11&rft.spage=3286&rft.epage=3292&rft.pages=3286-3292&rft.issn=1003-6326&rft_id=info:doi/10.1016/S1003-6326(13)62865-4&rft_dat=%3Cwanfang_jour%3Ezgysjsxb_e201311018%3C/wanfang_jour%3E%3Cgrp_id%3Ecdi_FETCH-wanfang_journals_zgysjsxb_e2013110183%3C/grp_id%3E%3Coa%3E%3C/oa%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rft_wanfj_id=zgysjsxb_e201311018&rfr_iscdi=true