Facile Chemical Solution Deposition of High-Mobility Epitaxial Germanium Films on Silicon

In Bewegung gesetzt: Ein einfaches Verfahren zur chemischen Abscheidung aus Lösung wurde erstmals für das epitaktische Aufwachsen von Ge auf ein Si‐Substrat genutzt. Die Hall‐Beweglichkeit in den Ge‐Filmen bei Raumtemperatur und einer Ladungsträgerkonzentration von 3.45×1019 cm−3 ist sehr hoch (1700...

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Published in:Angewandte Chemie 2010-03, Vol.122 (10), p.1826-1829
Main Authors: Zou, Guifu, Luo, Hongmei, Ronning, Filip, Sun, Baoquan, McCleskey, Thomas M., Burrell, Anthony K., Bauer, Eve, Jia, Q. X.
Format: Article
Language:English
Subjects:
Abscheidungsverfahren
Beweglichkeit
Dünne Filme
Germanium
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Description
Summary:In Bewegung gesetzt: Ein einfaches Verfahren zur chemischen Abscheidung aus Lösung wurde erstmals für das epitaktische Aufwachsen von Ge auf ein Si‐Substrat genutzt. Die Hall‐Beweglichkeit in den Ge‐Filmen bei Raumtemperatur und einer Ladungsträgerkonzentration von 3.45×1019 cm−3 ist sehr hoch (1700 cm2 V−1 s−1).
ISSN:0044-8249
1521-3757
DOI:10.1002/ange.200905804