The migration kinetics of the β → ζm transformation interface in Cu-23.7 at.% Ga alloys

• Published in: Acta metallurgica 1982, Vol.30 (4), p.813-819
• Main Authors: Caretti, J.C, Bertorello, H.R, Kittl, J.E
• Format: Article
• Language: English
• ISSN: 0001-6160
• DOI: 10.1016/0001-6160(82)90079-7

Measurements of the migration kinetics of the β → ζ m transformation interface have been performed in Cu-23.7 at.% Ga alloys. The experiments were carried out in conditions of unidirectional transformation and approximate steady-state interface migration. It is found that results obtained in this work exhibit a single general trend when considered together with those of Ag(Ga, and that two-dimensional step nucleation mechanism does not seem to describe properly the Cu-Ga results. Kinetics measurements allowed the equilibrium T 0 temperature of both phases, and the interface undercooling, to be determined. Experimental correlation of interface velocity vs undercooling is fitted by a V = B( ΔT) m law where m = 1.7 ± 0.1 and B = 7.5 × 10 −3 cm/s. A quadratic law results when interface velocity values are corrected for temperature if the activation energy for atomic transport across the interface is supposed to be Q = 37.6 Kcal/mole. Therefore, lateral growth of steps generated by screw dislocations is thought to be a probable operating mechanism in Cu-Ga. Nous avons effectué des mesures des cinétiques de migration de l'interface de la transformation β → ζ m dans des alliages Cu-23.7 at.% Ga. Ces expériences étaient effectuées dans des conditions de transformation unitirectionnelle et de migration de l'interface à peu prés stationnaire. Les résultats obtenus au cours de ce travail présentent une tendance générale lorsqu'on les considère avec ceux d'Ag-Ga et que l'on tient compte de ce qu'un mécanisme de germination bidimensionnelle ne semble pas décrire de manière satisfaisante les résultats dans Cu-Ga. Les mesures de cinétiques ont permis de déterminer la température d'équilibre T 0 des deux phases et la surfusion à l'interface. La corrélation expérimentale de la vitesse de l'interface en fonction de la surfusion peut être représentée par un loi V = B ( ΔT) m , où m = 1,7 ± 0.1 et B = 7.5 × 10 −3cm/s. On obtient une Soi quadratique lorsq'on corrige les valeurs de la vitesse de l'interface pour la température, en prenant une énergie d'activation du transport atomique à l'interface égale à Q = 37.6 Kcal/mole. C'est pourquoi, nous pensons qu'une croissance latérale de marches créées par des dislocations vis est un mécanisme effectif dans Cu-Ga. Die Wanderungskinetik der Grenzfläche bei der Umwandlung β → ζ m wurde in der Legierung Cu-23,7 At.% Ga gemessen. Die Experimente wurden unter den Bedingungen einer gerichteten Umwandlung und angenähert stationärer Grenzf