Loading…
Молекулярный механизм спонтанных мутаций замещения, обусловленных таутомерией оснований: ПостХартри-Фоковское изучение редких пар оснований ДНК
Осуществлена газофазная градиентная оптимизация редких пар оснований ДНК, содержащих лактам-лактимные и амино-иминные таутомеры, с помощью метода Хартри-Фока (ХФ), теории функционала плотности (ТФП) и теории возмущений Моллера-Плессета второго порядка (МП2) в базисе 6-3lG(d, р). Показано, что полная...
Saved in:
Published in: | Biopolimery i kletka 2005-01, Vol.21 (1), p.70 |
---|---|
Main Authors: | , , |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Online Access: | Get full text |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Summary: | Осуществлена газофазная градиентная оптимизация редких пар оснований ДНК, содержащих лактам-лактимные и амино-иминные таутомеры, с помощью метода Хартри-Фока (ХФ), теории функционала плотности (ТФП) и теории возмущений Моллера-Плессета второго порядка (МП2) в базисе 6-3lG(d, р). Показано, что полная оптимизация геометрии на уровне МП2 приводит к внутренне неплоской пропеллер-вращательной и согнутой геометрии пар оснований G*-T и G-T*. Неплоскостность пар обусловлена пирамидализацией атомов азота аминогрупы, недооцениваемой методами ХФ и ТФП. Это оправдывает важность оптимизации геометрии на уровне МП2 для получения разумного предсказания распределения зарядов, молекулярных дипольных моментов и геометрической структуры пар оснований. Сравнение энергий образования редких пар оснований демонстрирует энергетическую предпочтительность пар оснований G*-T и А-С* относительно пар G-T* и А*-С. Обнаружено, что величины энергий стабилизации пар оснований G-T* и А*-С, описывающие взаимодействие между мономерами, существенно больше аналогичных значений пар оснований G*-T и А*-С соответственно. Используя анализ членов разложения для ХФ энергий молекулярного взаимодействия методами Морокумы-Китауры и сокращенно го вариационного пространства, найдено, что природа большей стабильности пар оснований G-T* и А*-С по сравнению с парами G*-T и А-С* на 60–65 % обусловлена электростатическим взаимодействиями и на 35–40 % – поляризационными взаимодействиями и взаимодействиями с переносом заряда соответственно. |
---|---|
ISSN: | 0233-7657 1993-6842 |
DOI: | 10.7124/bc.0006DF |